FQB1P50TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQB1P50TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Datenblätte:	FQB1P50TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	29814 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29814 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.04

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Spezifikationen von FQB1P50TM

Artikelnummer	FQB1P50TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	29814 pcs	Datenblatt	FQB1P50TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 Ohm @ 750mA, 10V
Verlustleistung (max)	3.13W (Ta), 63W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FQB1P50TMCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 500V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.5A (Tc)

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