FQB3N80TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQB3N80TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	129091 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 129091 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

800 pcs: $0.222

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Spezifikationen von FQB3N80TM

Artikelnummer	FQB3N80TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	129091 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	690pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 3A (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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