FQB4N90TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQB4N90TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
Datenblätte:	FQB4N90TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6459 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6459 pcs

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Spezifikationen von FQB4N90TM

Artikelnummer	FQB4N90TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6459 pcs	Datenblatt	FQB4N90TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Verlustleistung (max)	3.13W (Ta), 140W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 900V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.2A (Tc)

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