FQB6N80TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQB6N80TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Datenblätte:	FQB6N80TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	59253 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59253 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

800 pcs: $0.491

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Spezifikationen von FQB6N80TM

Artikelnummer	FQB6N80TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	59253 pcs	Datenblatt	FQB6N80TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Verlustleistung (max)	3.13W (Ta), 158W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FQB6N80TM-ND FQB6N80TMTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.8A (Tc)

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