FQB8P10TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQB8P10TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Datenblätte:	FQB8P10TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	56973 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56973 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.527

10 pcs: $0.467

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Spezifikationen von FQB8P10TM

Artikelnummer	FQB8P10TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	56973 pcs	Datenblatt	FQB8P10TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	530 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	3.75W (Ta), 65W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FQB8P10TMCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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