FQD13N06TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQD13N06TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Datenblätte:	1.FQD13N06TM.pdf 2.FQD13N06TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	248682 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 248682 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.131

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Spezifikationen von FQD13N06TM

Artikelnummer	FQD13N06TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 10A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	248682 pcs	Datenblatt	1.FQD13N06TM.pdf 2.FQD13N06TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FQD13N06TM-ND FQD13N06TMTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Tc)

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