FQD1N80TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQD1N80TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Datenblätte:	1.FQD1N80TM.pdf 2.FQD1N80TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	89243 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89243 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.369

10 pcs: $0.322

100 pcs: $0.249

500 pcs: $0.184

1000 pcs: $0.147

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Spezifikationen von FQD1N80TM

Artikelnummer	FQD1N80TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	89243 pcs	Datenblatt	1.FQD1N80TM.pdf 2.FQD1N80TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 45W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FQD1N80TMCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	195pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1A (Tc)

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