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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Artikelnummer | FQD2N60CTM-WS | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 1.9A | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 74703 pcs | Datenblatt | FQD2N60CTM-WS.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Andere Namen | FQD2N60CTM-WSDKR FQD2N60CTM_WSDKR FQD2N60CTM_WSDKR-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.9A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
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| TNT | www.TNT.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
