FQD30N06TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQD30N06TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
Datenblätte:	FQD30N06TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	60282 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 60282 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.551

10 pcs: $0.49

100 pcs: $0.387

500 pcs: $0.30

1000 pcs: $0.237

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Spezifikationen von FQD30N06TM

Artikelnummer	FQD30N06TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	60282 pcs	Datenblatt	FQD30N06TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252, (D-Pak)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 11.4A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 44W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FQD30N06TMDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	945pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 22.7A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22.7A (Tc)

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