FQI2P25TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQI2P25TU
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
Datenblätte:	FQI2P25TU.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2988 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2988 pcs

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Spezifikationen von FQI2P25TU

Artikelnummer	FQI2P25TU	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2988 pcs	Datenblatt	FQI2P25TU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1.15A, 10V
Verlustleistung (max)	3.13W (Ta), 52W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 250V 2.3A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Tc)

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