FQP19N20C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQP19N20C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Datenblätte:	1.FQP19N20C.pdf 2.FQP19N20C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	58979 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58979 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.516

10 pcs: $0.457

100 pcs: $0.361

500 pcs: $0.28

1000 pcs: $0.221

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Spezifikationen von FQP19N20C

Artikelnummer	FQP19N20C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	58979 pcs	Datenblatt	1.FQP19N20C.pdf 2.FQP19N20C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)	139W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)

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