FQP3N80C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQP3N80C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Datenblätte:	1.FQP3N80C.pdf 2.FQP3N80C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	57773 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57773 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.53

10 pcs: $0.471

100 pcs: $0.372

500 pcs: $0.289

1000 pcs: $0.228

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Spezifikationen von FQP3N80C

Artikelnummer	FQP3N80C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 3A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	57773 pcs	Datenblatt	1.FQP3N80C.pdf 2.FQP3N80C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	107W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FQP3N80C-ND FQP3N80CFS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	705pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)

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