FQP7P20

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQP7P20
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220
Datenblätte:	1.FQP7P20.pdf 2.FQP7P20.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6216 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6216 pcs

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Spezifikationen von FQP7P20

Artikelnummer	FQP7P20	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6216 pcs	Datenblatt	1.FQP7P20.pdf 2.FQP7P20.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 3.65A, 10V
Verlustleistung (max)	90W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 200V 7.3A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.3A (Tc)

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