FQPF11P06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQPF11P06
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Datenblätte:	FQPF11P06.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	56130 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56130 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.551

10 pcs: $0.488

100 pcs: $0.386

500 pcs: $0.299

1000 pcs: $0.236

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Spezifikationen von FQPF11P06

Artikelnummer	FQPF11P06	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	56130 pcs	Datenblatt	FQPF11P06.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 4.3A, 10V
Verlustleistung (max)	30W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	FQPF11P06-ND FQPF11P06FS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 60V 8.6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.6A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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