FQPF4N90C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQPF4N90C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
Datenblätte:	FQPF4N90C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	47179 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 47179 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.608

10 pcs: $0.537

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Spezifikationen von FQPF4N90C

Artikelnummer	FQPF4N90C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	47179 pcs	Datenblatt	FQPF4N90C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	47W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 900V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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