FQPF5N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQPF5N60
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F
Datenblätte:	FQPF5N60.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3269 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3269 pcs

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Spezifikationen von FQPF5N60

Artikelnummer	FQPF5N60	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3269 pcs	Datenblatt	FQPF5N60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.4A, 10V
Verlustleistung (max)	40W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 2.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.8A (Tc)

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