| Artikelnummer | H11F1 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 3725 pcs | Datenblatt | H11F1.pdf |
| Spannung - Ausgabe (max) | 30V | Spannung - Isolation | 5300Vrms |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V | VCE Sätttigung (max) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 25µs, 25µs (Max) | Supplier Device-Gehäuse | 6-DIP |
| Serie | - | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | - |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Ausgabetyp | MOSFET | Andere Namen | H11F1GE H11F1QT H11F1QT-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C | Anzahl der Kanäle | 1 |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabetyp | DC |
| detaillierte Beschreibung | Optoisolator MOSFET Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) | - |
| Stromübertragungsverhältnis (max) | - | Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Strom - DC Vorwärts (If) (Max) | 60mA |
| FEDEX | www.FedEx.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
|---|---|---|
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