H11F3W

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	H11F3W
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP
Datenblätte:	H11F3W.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4832 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4832 pcs

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Spezifikationen von H11F3W

Artikelnummer	H11F3W	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4832 pcs	Datenblatt	H11F3W.pdf
Spannung - Ausgabe (max)	15V	Spannung - Isolation	5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)	1.3V	VCE Sätttigung (max)	-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)	25µs, 25µs (Max)	Supplier Device-Gehäuse	6-DIP
Serie	-	Aufstieg / Fallzeit (Typ)	-
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	6-DIP (0.400", 10.16mm)
Ausgabetyp	MOSFET	Betriebstemperatur	-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle	1	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp	DC	detaillierte Beschreibung	Optoisolator MOSFET Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)	-	Stromübertragungsverhältnis (max)	-
Strom - Ausgang / Kanal	-	Strom - DC Vorwärts (If) (Max)	60mA

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