HGTP12N60C3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HGTP12N60C3
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Datenblätte:	1.HGTP12N60C3.pdf 2.HGTP12N60C3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2893 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2893 pcs

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Spezifikationen von HGTP12N60C3

Artikelnummer	HGTP12N60C3	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 600V 24A 104W TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2893 pcs	Datenblatt	1.HGTP12N60C3.pdf 2.HGTP12N60C3.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 12A
Testbedingung	-	Td (ein / aus) bei 25 ° C	-
Schaltenergie	380µJ (on), 900µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Leistung - max	104W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp	Standard	IGBT-Typ	-
Gate-Ladung	48nC	detaillierte Beschreibung	IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-220AB
Strom - Collector Pulsed (Icm)	96A	Strom - Kollektor (Ic) (max)	24A
Basisteilenummer	HGTP12N60

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