HUF76013P3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HUF76013P3
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB
Datenblätte:	1.HUF76013P3.pdf 2.HUF76013P3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2831 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2831 pcs

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Spezifikationen von HUF76013P3

Artikelnummer	HUF76013P3	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2831 pcs	Datenblatt	1.HUF76013P3.pdf 2.HUF76013P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	UltraFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	624pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 20A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)

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