HUFA76409D3ST

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HUFA76409D3ST
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Datenblätte:	HUFA76409D3ST.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	90199 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 90199 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.355

10 pcs: $0.314

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500 pcs: $0.192

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Artikelnummer	HUFA76409D3ST	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	90199 pcs	Datenblatt	HUFA76409D3ST.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252AA
Serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)	49W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	HUFA76409D3STCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)

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