IRL610A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRL610A
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
Datenblätte:	1.IRL610A.pdf 2.IRL610A.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	7044 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7044 pcs

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Spezifikationen von IRL610A

Artikelnummer	IRL610A	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	7044 pcs	Datenblatt	1.IRL610A.pdf 2.IRL610A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Verlustleistung (max)	33W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 3.3A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.3A (Tc)

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