IRLI510ATU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRLI510ATU
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Datenblätte:	IRLI510ATU.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6195 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6195 pcs

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Spezifikationen von IRLI510ATU

Artikelnummer	IRLI510ATU	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6195 pcs	Datenblatt	IRLI510ATU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 2.8A, 5V
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 37W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.6A (Tc)

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