IRLS640A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRLS640A
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
Datenblätte:	IRLS640A.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	50408 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50408 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.685

10 pcs: $0.62

100 pcs: $0.498

500 pcs: $0.387

1000 pcs: $0.321

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Spezifikationen von IRLS640A

Artikelnummer	IRLS640A	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	50408 pcs	Datenblatt	IRLS640A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 4.9A, 5V
Verlustleistung (max)	40W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	IRLS640A-ND IRLS640AFS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1705pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.8A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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