ISL9N303AS3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ISL9N303AS3
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Datenblätte:	ISL9N303AS3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3342 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3342 pcs

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Spezifikationen von ISL9N303AS3

Artikelnummer	ISL9N303AS3	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3342 pcs	Datenblatt	ISL9N303AS3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	UltraFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)	215W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	172nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 75A (Tc) 215W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	75A (Tc)

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