MJ11016G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJ11016G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
Datenblätte:	MJ11016G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	21796 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21796 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.647

10 pcs: $1.481

100 pcs: $1.213

500 pcs: $1.033

1000 pcs: $0.871

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Spezifikationen von MJ11016G

Artikelnummer	MJ11016G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 120V 30A TO3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	21796 pcs	Datenblatt	MJ11016G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	120V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	4V @ 300mA, 30A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-204 (TO-3)
Serie	-	Leistung - max	200W
Verpackung	Tray	Verpackung / Gehäuse	TO-204AA, TO-3
Andere Namen	MJ11016GOS	Betriebstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	4MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	1000 @ 20A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	30A

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