MJD122G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJD122G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Datenblätte:	MJD122G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	147121 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 147121 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.235

75 pcs: $0.195

150 pcs: $0.159

525 pcs: $0.126

1050 pcs: $0.101

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Spezifikationen von MJD122G

Artikelnummer	MJD122G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	147121 pcs	Datenblatt	MJD122G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	4V @ 80mA, 8A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Leistung - max	1.75W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	MJD122G-ND MJD122GOS	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	4MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	1000 @ 4A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)	10µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	8A
Basisteilenummer	MJD122

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