MJD350G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJD350G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Datenblätte:	MJD350G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6160 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6160 pcs

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Spezifikationen von MJD350G

Artikelnummer	MJD350G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP 300V 0.5A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6160 pcs	Datenblatt	MJD350G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	300V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	-
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Leistung - max	1.56W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	MJD350G-ND MJD350GOS	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 1.56W Surface Mount DPAK	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 50mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA
Basisteilenummer	MJD350

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