MJD42CT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJD42CT4G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PNP 100V 6A DPAK
Datenblätte:	MJD42CT4G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	149811 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149811 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.228

10 pcs: $0.202

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500 pcs: $0.122

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Spezifikationen von MJD42CT4G

Artikelnummer	MJD42CT4G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP 100V 6A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	149811 pcs	Datenblatt	MJD42CT4G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 600mA, 6A
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Leistung - max	1.75W
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	MJD42CT4GOSCT	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	3MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 1.75W Surface Mount DPAK	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	15 @ 3A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)	50µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	6A
Basisteilenummer	MJD42

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