MJD44H11T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJD44H11T4G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 80V 8A DPAK
Datenblätte:	MJD44H11T4G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	375516 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 375516 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.083

5000 pcs: $0.077

12500 pcs: $0.072

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Spezifikationen von MJD44H11T4G

Artikelnummer	MJD44H11T4G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 80V 8A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	375516 pcs	Datenblatt	MJD44H11T4G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	80V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 400mA, 8A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Leistung - max	1.75W
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	MJD44H11T4GOS MJD44H11T4GOS-ND MJD44H11T4GOSTR	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	85MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	40 @ 4A, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	8A
Basisteilenummer	MJD44H11

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