MJD50T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJD50T4G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 400V 1A DPAK
Datenblätte:	MJD50T4G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	119385 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 119385 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.239

10 pcs: $0.206

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Spezifikationen von MJD50T4G

Artikelnummer	MJD50T4G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 400V 1A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	119385 pcs	Datenblatt	MJD50T4G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	400V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 1A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Leistung - max	1.56W
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	MJD50T4GOS MJD50T4GOS-ND MJD50T4GOSCT	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	10MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 300mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)	200µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A
Basisteilenummer	MJD50

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