MJE5730

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJE5730
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PNP 300V 1A TO220AB
Datenblätte:	MJE5730.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4007 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4007 pcs

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Spezifikationen von MJE5730

Artikelnummer	MJE5730	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP 300V 1A TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4007 pcs	Datenblatt	MJE5730.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	300V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 1A
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Leistung - max	40W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Andere Namen	MJE5730OS	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenz - Übergang	10MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 300mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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