MJE803

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJE803
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Datenblätte:	MJE803.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5486 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5486 pcs

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Spezifikationen von MJE803

Artikelnummer	MJE803	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5486 pcs	Datenblatt	MJE803.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	80V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-225AA
Serie	-	Leistung - max	40W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-225AA, TO-126-3
Andere Namen	MJE803OS	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	750 @ 2A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	4A
Basisteilenummer	MJE803

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