MMBFJ113

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MMBFJ113
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	JFET N-CH 35V 350MW SOT23
Datenblätte:	1.MMBFJ113.pdf 2.MMBFJ113.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	902765 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 902765 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.042

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Spezifikationen von MMBFJ113

Artikelnummer	MMBFJ113	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	JFET N-CH 35V 350MW SOT23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	902765 pcs	Datenblatt	1.MMBFJ113.pdf 2.MMBFJ113.pdf
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id	500mV @ 1µA	Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS)	35V
Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3	Serie	-
Resistance - RDS (on)	100 Ohms	Leistung - max	350mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	MMBFJ113-ND MMBFJ113TR	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Typ FET	N-Channel	detaillierte Beschreibung	JFET N-Channel 35V 350mW Surface Mount SOT-23-3
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)	2mA @ 15V	Basisteilenummer	MBFJ113

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