MMDF1N05ER2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MMDF1N05ER2
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Datenblätte:	MMDF1N05ER2.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	2824 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2824 pcs

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Spezifikationen von MMDF1N05ER2

Artikelnummer	MMDF1N05ER2	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	2824 pcs	Datenblatt	MMDF1N05ER2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.5A, 10V
Leistung - max	2W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	MMDF1N05ER2OSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A	Basisteilenummer	MMDF1N05E

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