MMSF7P03HDR2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MMSF7P03HDR2
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Datenblätte:	MMSF7P03HDR2.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	168702 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 168702 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von MMSF7P03HDR2

Artikelnummer	MMSF7P03HDR2	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	168702 pcs	Datenblatt	MMSF7P03HDR2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 5.3A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75.8nC @ 6V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Ta)

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