MTP6P20E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MTP6P20E
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
Datenblätte:	MTP6P20E.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3024 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3024 pcs

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Spezifikationen von MTP6P20E

Artikelnummer	MTP6P20E	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3024 pcs	Datenblatt	MTP6P20E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	75W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	MTP6P20EOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 200V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)

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