MUN2136T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MUN2136T1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Datenblätte:	MUN2136T1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3252031 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3252031 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von MUN2136T1G

Artikelnummer	MUN2136T1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3252031 pcs	Datenblatt	MUN2136T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ	PNP - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SC-59
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	100 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	100 kOhms	Leistung - max	230mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 5mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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