NDB6030PL

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NDB6030PL
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
Datenblätte:	NDB6030PL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	103359 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 103359 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von NDB6030PL

Artikelnummer	NDB6030PL	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	103359 pcs	Datenblatt	NDB6030PL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 19A, 10V
Verlustleistung (max)	75W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	NDB6030PL-ND NDB6030PLFSTR
Betriebstemperatur	-65°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1570pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 30A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)

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