NDH832P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NDH832P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
Datenblätte:	NDH832P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6324 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6324 pcs

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Spezifikationen von NDH832P

Artikelnummer	NDH832P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6324 pcs	Datenblatt	NDH832P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	-8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.8W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Gull Wing	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.2A (Ta)

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