NJX1675PDR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NJX1675PDR2G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Datenblätte:	NJX1675PDR2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3809 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3809 pcs

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Spezifikationen von NJX1675PDR2G

Artikelnummer	NJX1675PDR2G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3809 pcs	Datenblatt	NJX1675PDR2G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	30V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Transistor-Typ	NPN, PNP	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-	Leistung - max	2W
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	100MHz, 120MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 100MHz, 120MHz 2W Surface Mount 8-SOIC
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	180 @ 1A, 2V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	3A

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