NTB25P06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTB25P06
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Datenblätte:	NTB25P06.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3816 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3816 pcs

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Spezifikationen von NTB25P06

Artikelnummer	NTB25P06	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3816 pcs	Datenblatt	NTB25P06.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)	120W (Tj)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	27.5A (Ta)

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