NTB65N02RG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTB65N02RG
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Datenblätte:	NTB65N02RG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3034 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3034 pcs

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Spezifikationen von NTB65N02RG

Artikelnummer	NTB65N02RG	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3034 pcs	Datenblatt	NTB65N02RG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	1.04W (Ta), 62.5W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 4.5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 65A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	65A (Tc)

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