NTD4302G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTD4302G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
Datenblätte:	NTD4302G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3861 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3861 pcs

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Spezifikationen von NTD4302G

Artikelnummer	NTD4302G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3861 pcs	Datenblatt	NTD4302G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	1.04W (Ta), 75W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	NTD4302G-ND NTD4302GOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 24V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.4A (Ta), 68A (Tc)

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