NTD4815NHT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTD4815NHT4G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK
Datenblätte:	NTD4815NHT4G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3364 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3364 pcs

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Spezifikationen von NTD4815NHT4G

Artikelnummer	NTD4815NHT4G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3364 pcs	Datenblatt	NTD4815NHT4G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	1.26W (Ta), 32.6W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	NTD4815NHT4G-ND NTD4815NHT4GOSTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	845pF @ 12V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.8nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.9A (Ta), 35A (Tc)

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