NTD80N02

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTD80N02
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Datenblätte:	NTD80N02.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4915 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4915 pcs

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Spezifikationen von NTD80N02

Artikelnummer	NTD80N02	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 24V 80A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4915 pcs	Datenblatt	NTD80N02.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	75W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 4.5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	24V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 24V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)

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