NTJS4405NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTJS4405NT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
Datenblätte:	NTJS4405NT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	182789 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 182789 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.197

10 pcs: $0.139

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Spezifikationen von NTJS4405NT1G

Artikelnummer	NTJS4405NT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	182789 pcs	Datenblatt	NTJS4405NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 600mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	630mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Andere Namen	NTJS4405NT1GOSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1A (Ta)

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