NTMD2C02R2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMD2C02R2
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Datenblätte:	NTMD2C02R2.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	206664 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 206664 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.158

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Spezifikationen von NTMD2C02R2

Artikelnummer	NTMD2C02R2	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	206664 pcs	Datenblatt	NTMD2C02R2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 4A, 4.5V
Leistung - max	2W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	NTMD2C02R2OS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.2A, 3.4A

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