NTMFS4839NHT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMFS4839NHT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
Datenblätte:	NTMFS4839NHT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3815 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3815 pcs

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Spezifikationen von NTMFS4839NHT1G

Artikelnummer	NTMFS4839NHT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3815 pcs	Datenblatt	NTMFS4839NHT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	870mW (Ta), 42.4W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN, 5 Leads	Andere Namen	NTMFS4839NHT1G-ND NTMFS4839NHT1GOSTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2354pF @ 12V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.5nC @ 11.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 9.5A (Ta), 64A (Tc) 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.5A (Ta), 64A (Tc)

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