NTMFS4C09NAT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMFS4C09NAT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Datenblätte:	NTMFS4C09NAT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	365810 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 365810 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von NTMFS4C09NAT1G

Artikelnummer	NTMFS4C09NAT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	365810 pcs	Datenblatt	NTMFS4C09NAT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 30A, 10V	Verlustleistung (max)	760mW (Ta)
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN, 5 Leads
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1252pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.9nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Ta), 52A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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